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    GIS局部放電會(huì )造成哪些危害?

    GIS局部放電的缺陷主要有四種,
    (1)固定缺陷。
    (2) GIS腔體內可以移動(dòng)的自由金屬微粒。
    (3) 傳導部分接觸不良。
    (4) 絕緣子制造時(shí)造成的內部空隙和實(shí)驗閃絡(luò )引起的表面痕跡,還包括或是因電極的表面粗糙或是來(lái)自制造時(shí)嵌入的金屬微粒。
    主要危害是會(huì )逐步引起絕緣擊穿,導致安全事故。

    拓展資料
    gis局部放電特高頻檢測的儀器,最早進(jìn)入國內的都是進(jìn)口產(chǎn)品,包括英國dms公司,當時(shí)國內局放技術(shù)還不成熟的時(shí)候,dms最早進(jìn)入,由新加坡電力引入的。后來(lái)成為檢測gis局部放電的一種參考標準。
    后來(lái)的德國pdsg公司的產(chǎn)品也進(jìn)入中國,此類(lèi)產(chǎn)品主要用于實(shí)驗室內的研究,在現場(chǎng)使用需要很強的技術(shù)能力來(lái)操作。
    上述是代表性的國外進(jìn)口產(chǎn)品,從目前gis局放檢測的發(fā)展來(lái)看,檢測gis需要兩種以上的方式,即特高頻和超聲波同時(shí)使用是有效的檢測方式。
    國內的生產(chǎn)廠(chǎng)家包括,廈門(mén)紅相公司、杭州西湖電子、上海華乘電氣等,從目前現場(chǎng)使用情況來(lái)看,在現場(chǎng)復雜的電力運行環(huán)境中,有效的檢測和判斷分析gis的局放信號,上海華乘電氣的產(chǎn)品適合現場(chǎng)的復雜環(huán)境檢測,檢測的判斷準確性比較高。甚至已經(jīng)超過(guò)國外進(jìn)口產(chǎn)品的性能。實(shí)戰經(jīng)驗比較多,適合于現實(shí)中的實(shí)際操作。

    其他公司的產(chǎn)品也有各種代表,從現場(chǎng)的使用情況來(lái)看,都不盡相同,也有準確度的差別。

    天威寶乾編輯整理于2022年


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